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宝石合成原理与方法(汇总)
第一章 绪论
要点
人造宝石材料的重要性
人造宝石材料的发展
基本概念
晶体生长基本理论
一、人造宝石材料的重要性
随着科学技术的发展,人民生活水平不断提高,人类对宝石的需求也逐渐增加。然而天然宝石材料的资源毕竟是有限的,而人工宝石材料能够大批量生产,且价格低廉,故人工宝石材料在市场上占有较大的份额。随着科学技术的发展,人工宝石材料的品种日益繁多,合成宝石的特性也越来越接近天然品种。宝石学家不断面临鉴别新的人造宝石材料的挑战。 某些人工的晶体材料也用于工业产品及设备的制造及生产中。例如,人造 钇铝榴石被广泛用于激光工业,合成水晶是用作控制和稳定无线电频率的振荡片和有线电话多路通讯滤波元件及雷达、声纳发射元件等最理想的材料。
二、人造宝石材料的发展
人工制造宝石的历史可追溯到1500年埃及人用 玻璃模仿祖母绿、青金石和绿松石等。人工合成宝石始于18世纪中期和19世纪,由于矿物学研究的发展以及化学分析方法取得的进展,使人们逐渐掌握了宝石的化学成分及性质,加上化学工业的发展以及对结晶过程的认识,人工合成宝石才变为现实。1892年出现了闻名的“日内瓦红宝石”,这是用氢氧火焰使品质差的红宝石粉末及添加的致色剂铬熔融,再重结晶形成优质红宝石的方法。随后,这种方法经改进并得以商业化。1890年, 助熔剂法合成红宝石获得成功;1900年助熔剂法合成祖母绿成功。从此,宝石合成业飞速地发展起来。合成尖晶石、蓝宝石、金某某、钛酸锶等逐渐面市。1953年合成工业级钻石、1960年水热法合成祖母绿及1970年宝石级合成钻石也相继获得成功。 我国的人工宝石材料的生产起步较晚。五十年代末,为了发展我国的精密仪器仪表工业,从原苏联引进了焰熔法合成刚玉的设备和技术,六十年代投产后,主要用于手表轴承材料的生产。后来发展到有20多家焰熔法合成宝石的工厂,能生长出各种品种的刚玉宝石、尖晶石、金某某和钛酸锶等。 我国进行水热法生长水晶的研究工作,始于1958年。目前几乎全国各省都建立了合成水晶厂。我国的彩色石英从1992年开始生产,现在市场上能见到的各种颜色品种的合成石英。 七十年代,由于工业和军事的需要,尤其是激光研究的需要,我国先后用提拉法生产了人造钇铝榴石(YAG)和钆镓榴石(GGG)晶体,它们曾一度被用于仿钻石。 1982年,我国开始研究合成立方氧化锆的生产技术,1983年投产。由于合成立方氧化锆的折射率高、硬度高、产量大、成本低,很快取代了其它仿钻石的晶体材料。**_*1993年成功生产水热法合成祖母绿,现已能生产水热法合成其它颜色的绿柱石及红、蓝宝石。 合成工业用钻石在我国是l963年投产的,至八十年代末,我国已有300余家合成工业用钻石的厂家。但宝石级合成钻石的生产还在探索之中。l995年,我国采用 化学气相沉积法生长出了多晶金刚石薄膜,已在首饰方面应用。 所以我国的人工宝石制造工业,虽然起步较晚,但发展迅猛。我们与发达国家的差异正在逐渐缩小。
三、基本概念
1. 合成宝石:指人工或半人工的无机合成材料,其化学成分、原子结构、物理性质与其天然对应无机宝石基本相同。
A. 原料:半人工材料;如天然去皮水晶作为合成水晶的原料;
人工分离出的原料Al2O3 作为合成红宝石的原料;
B. 有天然对应物:天然红宝石---合成红宝石
它们的物理性质、化学成分和原子结构都基本相同;
C. 可以有小的差异:
天然尖晶石:MgO:Al2O3==1:1, RI 1.718, SG 3.60
合成尖晶石:MgO:Al2O3==1:1.5—3.5;RI 1.727, SG 3.63
正是这微小的差异,使我们能够区分它们。
2. 人造宝石:指人工生产的非天然形成的无机材料。
狭义的人造宝石:具有独特的化学成分、原子结构和物理性质的人工宝石材料;
如YAG:钇铝榴石,Y3Al5O12 ;无天然对应物,广义的人造宝石:人工生产的宝石,包括合成宝石;
四、晶体生长基本理论:
晶体生长最早是一门工艺,由于热力学、统计物理学及其它学科在晶体生长中的应用,使晶体生长理论逐步发展完善起来。 晶体生长的发生最初是从溶液或熔体中形成固相的小晶芽,即成某某。晶核形成后,就形成了晶体--介质的界面,晶体生长最重要的过程就是界面过程。科学家们提出了许多生长机制或模型,结合热力学和动力学探讨了这一过程。尽管晶体生长理论已有一百多年的发展历程,但晶体生长理论还并不完善,现有的晶体生长模型还不能完全用于指导晶体生长实践,为了提高晶体质量还有许多实际问题尚待解决。
1.成某某
成某某过程实际是一个相变过程。相是一个体系中均匀一致的部分,它与另外的其它部分有明显的分界线。
图1-1 石墨-钻石的相图
化学成分相同的物质,在不同的温压条件下,可以呈不同的结构(同质多象)、或不同的状态如固相、液相和气相。
相变:当某一体系在外界条件改变时,会发生状态的改变,这种现象即相变。宝石合成的过程即生长晶体,从液相变为固相,或固相变为固相、气相变为固相;相变过程受温压条件、介质组分的控制。
相图:根据相变理论公式(克拉帕珑方程),即反映压力、温度和组分的关系,作出的表示相变、温度、压力、组分关系的图解。
石墨的相图是一元相图,如图1-1所示。这个相图表明,在很大的压力和温度范围内存在碳的固态相变。它是根据热力学原理,结合多次实验和外推等做出的。石墨在温度1400-16000C和4.5-6X109Kb的压力下会转变为钻石,该图是合成钻石的依据。
影响成某某的外因主要是过冷度和过饱和度,成某某的相变有滞后现象,即当温度降至相变点T0 时,或当浓度刚达到饱和时,并不能看到成某某相变,成某某总需要一定程度的过冷或过饱和。在理想均匀环境下,任何地方成某某几率均匀,但实际条件常常不是理想均匀的。在空间各点成某某的概率不同,即非均匀成某某。一般在界面上,如外来质点(尘土颗粒表面)、容器壁以及原有晶体表面上容易形成晶核。在自然界,如雨雪,冰雹的形成,在合成晶体过程中的单晶生长都是非均匀成某某。
在合成晶体过程中,为了获得理想的晶体,人为提供的晶核称为种晶或籽晶。
种晶一般都是从已有的大晶体上切取的。种晶上的缺陷,如位错、开裂、晶格畸变等在一定的范围内会“遗传”给新生长的晶体。在选择种晶时要避开缺陷。根据晶体生长习性和应用的要求,种晶可采用粒状、棒状、片状等不同的形态。种晶的光性方位对合成晶体的形态、生长速度等有很大的影响。所以种晶的选择非常重要。
2. 晶体生长界面稳定性:
晶核出现后,过冷或过饱和,驱使质点按一定的晶体结构在晶核上排列生长。温度梯度和浓度梯度直接影响界面的稳定性,从而影响晶面的生长速度、晶体的形态。
晶体生长过程中,介质的温度、浓度会影响晶体与介质的界面的宏观形状,如是凸起、凹陷或平坦光滑。界面为平坦光滑状态,则界面稳定性;如果生长条件的干扰,界面会产生凹凸不平,即形成不稳定界面。影响界面稳定性的因素主要有熔体温度梯度、溶质浓度梯度、生长速率等。
A、 熔体温度梯度:
生长界面处的温度分布,有三种情况:
温度梯度为正,这是熔体为过热熔体;
温度梯度为负,即dT/dx请点击下方选择您需要的文档下载。
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