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世界半导体极简编年史
回顾曾经那些推动全球半导体发展的技术和事件。
1833年:第一次有记录的半导体效应
迈克尔·法拉第(Michael Faraday)发现了硫化银晶体中电导率随温度升高而增加的“特殊情况”。这与在铜和其他金属中观察到的情况相反。
图:法拉第
1874年:发现半导体点接触式整流器效应
第一个半导体二极管书面说明,费迪南德·布劳恩(Ferdinand Braun)指出,在金属点与方铅矿晶体接触处,电流只朝一个方向自由流动。
1901年:半导体整流器获得“晶体管触须(CAT'S WHISKER)”探测器专利
无线电先驱、印度加尔各答***物理学教授Jagadis Chandra Bose申请了检测无线电波的半导体晶体整流器的专利。
图:Jagadis Chandra Bose
1926年:场效应半导体器件申请专利
Julius Lilienfeld申请了一项专利,描述了一种基于硫化铜半导体特性的三电极放大装置。直到1930年代,人们一直在尝试制造这种设备。
图:Julius E. Lilienfeld
1931年:《电子半导体理论》出版
艾伦·威尔逊(Alan Wilson)用量子力学来解释半导体的基本特性。七年后,鲍里斯?达维多夫(苏联)、内维尔?莫某某(英国)和沃尔特?肖特基(德国)都对半导体进行了理论解释。
图:在剑桥的Alan Wilson
1940年:发现P-N结
Russell Ohl发现了硅中的P-N结和光伏效应,从而促进了结晶体管和太阳能电池的发展。
图:在贝尔实验室的Russell Ohl
1941年,半导体二极管整流器用于二战
开发出用于战时雷达微波探测器的高纯度锗和硅晶体的生产技术。
图:卡尔·拉克·霍洛维兹(Karl Lark-Horowitz)(右)和西摩·本泽(Seymour Benzer),约1942年在普渡大学
1947年:点接触晶体管的发明
1947年12月,约翰·巴丁(John Bardeen)和沃尔特·布拉顿(Walter Brattain)在锗点接触器件中实现了晶体管作用。
1948年:欧洲晶体管的发明
Herbert Mataré和Heinrich Welker在法国发明了锗点接触晶体管。
图:Herbert Mataré
1948年:结型晶体管的构想
威廉·肖克利(William Shockley)基于对P-N结效应的理论理解,构想了一种改进的晶体管结构。
图:威廉·肖克利(William Shockley)描述结晶体管理论
1951年: 发明区域熔炼
William Pfann和Henry Theurer开发了用于生产超纯半导体材料的区域熔炼技术。
图:William Pfann和Jack Scaff使用早期区熔精炼设备
1951年:第一个制造的生长结晶体管
戈登·蒂尔(Gordon Teal)生长出了大型锗单晶,并与摩根·斯帕克斯(Morgan Sparks)合作制造了一个N-P-N结晶体管。
图:1951年戈登·蒂尔(Gordon K. Teal)(左)和贝尔实验室的摩根·史某某(Morgan Sparks)
1952年:晶体管消费品出现
半导体开始出现在电池供电的助听器和袖珍收音机中,消费者愿意为便携性和低功耗支付高价。
图:Sonotone 1010助听器使用了一个晶体管和两个电子管
1952年:贝尔实验室授权晶体管技术
贝尔实验室的 内容过长,仅展示头部和尾部部分文字预览,全文请查看图片预览。 显示器(LCD)数字手表是将完整的电子系统集成到称为系统级芯片(SOC)的单个硅芯片上的第一款产品。
图:汉密尔顿Pulsar数字手表的电子模块
1978年:用户可编程逻辑器件的诞生
单片存***的John Birkner and H. T. Chua开发了易于使用的可编程阵列逻辑(PAL)器件和工具,用于快速原型化定制逻辑功能。
图:80年代中期的H. T. Chua和John Birkner
1979年:推出了单芯片数字信号处理器
贝尔实验室的单芯片DSP-1数字信号处理器设备架构针对电子开关系统进行了优化。
图:贝尔实验室的DSP-1器件版本
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