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铌酸锂绝缘体
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铌酸锂绝缘体（LNOI）晶片由于其独特的光子、声光、电光和压电特性，在片上光子集成领域得到了广泛的应用。近年来，各种基于LNOI的高性能片上光子器件被实现。在本研究中，我们在矽基板上制备了1-mol%掺铒铌酸锂晶体及其LNOI，并制备出高质量掺铒铌酸锂微盘
系数（～1.05×105）。用974和1460nm泵浦，研究了高Q值掺铒LNOI微盘在～1530和～15 内容过长，仅展示头部和尾部部分文字预览，全文请查看图片预览。 LNOI微盘。用974nm和1460nm激光泵浦，观察到可见光和C波段激光发射。采用974nm和1460nm泵浦的C波段激光阈值分别为2.99和9.31mW。计算并分析了974和1460 nm泵浦功率变化时的激光波长漂移。将掺铒的特性与LNOI优良的非线性、电光、声光和综合性能相结合，有望在片上LN放大器、可调谐激光器等PICs中开发出新的、更高功能的器件。
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