第一章常用半导体器件作业
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第一章常用半导体器件作业
一、填空题
1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 ，掺杂后它变
为 型硅。
2、在纯净的硅晶体中掺入 （三价/五价）元素，就形成了P型半导体，其自由电子为 （多数/少数）载流子
3、空穴为带 （正/负）电的载流子。自由电子为 （多数/ 少数）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
4、自由电子为 （多数/少数）载流子、空穴为 （多数/少数）载流子的杂质半导体称为N型半导体。
5、自由电子为 （多数/少数）载流子，空穴为 （多数/少数）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
6、扩散运动形成的电流是 （正向/反向）电流，漂移运动形成的电流
是 （正向/反向）电流。
7、由漂移形成的电流是反向电流，其大小决定于 （多数/少数）载流子浓度，而与外电场 。
8、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时 （导通/截止），反偏
时 （导通/截止）。
9、PN结的P型侧接高某某，N型侧接低电位称为 （正偏/反偏），反之称为 。
10、PN结外加正向电压时空间电荷区将 。
11、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为 ，等效成导通；当其反偏时，结电阻为 ，等效成断开。
12、在常温下，硅二极管的导通电压是 V，锗二极管的导通电压是 V。
13、稳压二极管稳压时是处于 状态，而二极管导通时是处于 偏置状态。
14、电路如图所示，二极管D1、D2为同一型号的理想元件，电位VA=1V，VB=5V，则电位VO等于 。
15、电路如下图所示。Dz1、Dz2为稳压二极管，其稳定工作电压分别为VZ1=8V和VZ2=10V，它们的正向压降均为0.7 V，则各电路的输出电压：（a）Vo= ；（b）Vo= ；（c）Vo= 。
16、三极管能起放大作用的内部条件是：基区掺杂质浓度比发射区掺杂质的浓
度 （高/低），发射区浓度 （高/低），集电结面积比发射结面
积 （大/小/相等）。
17、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO （增大/减少），所以Ic
也 。
18、当温度升高时三极管的集电极电流IC （增大/减少），电流放大系数β （增大/减少）。
19、当温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO （增大/减少），发射结压降VBE （增大/减少）。
20、某晶体三极管的电流值：IB = 20(A时IC = 2mA、IB = 80(A时IC = 8mA，该管的( = _____，晶体三极管的极限参数主要指 ， ，U(BR)CEO 等。
21、测得某放大电路中两只三极管（A和B管）各电极对地的电位为：
VA1= 7V VA2 = 1.8V VA3 = 2.5V
VB1 =7V VB2 = 2.8V V B3= 7.2V
判断A管、B管某某NPN管还是PNP管，A管某某 管， B管某某 管。
22.现测得放大电路中一只管子两个电极的电流，如图1所示。求 内容过长，仅展示头部和尾部部分文字预览，全文请查看图片预览。 5．电路如图3所示，已知(V)，二极管导通电压UD=0.7V。试画出与的波形图，并标出幅值。
/
图3
6、稳压二极管技术数据为：稳压值UZ=10V，Izmax=12mA，Izmin=2mA，负载电阻RL=2k(，输入电压ui=12V，限流电阻R=200 (，求Iz。若负载电阻变化范围为1.5 k( -- 4 k( ，是否还能稳压？
/
解：
7、右图所示电路中，稳压管的稳定电压 ，最小稳定电流,最大稳定电流，（1）分别计算U1为20V，40V两种情况下的输出电压UO的值；（2）若U1=40V时负载开路，则会出现什么情况？
解：
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